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m面InGaN/GaN量子阱LED器件結(jié)構(gòu)的生長方法

1135   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:05:36
一種m面InGaN/GaN量子阱LED器件結(jié)構(gòu)的生長方法,利用MOCVD在(100)鋁酸鋰襯底上合成生長GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件結(jié)構(gòu),在MOCVD系統(tǒng)中對生長的(100)鋁酸鋰襯底在500-1050℃溫度下進行材料熱處理,在一定500-1050℃溫度范圍通入載氣N2,氨氣以及金屬有機源,在(100)鋁酸鋰襯底上合成生長m面的GaN材料,再在該GaN材料上以500-1050℃生長N型層M面GaN,以及分別以700-900℃和600-800℃生長層厚分別為15-20nm和5-15nm的5-10個周期的m面GaN/m面InGaN量子阱結(jié)構(gòu),最后生長一層m面P型層GaN。
聲明:
“m面InGaN/GaN量子阱LED器件結(jié)構(gòu)的生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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