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a面和m面GaN薄膜材料的控制生長方法

964   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:05:36
一種a面和m面GaN薄膜材料的控制生長方法,在MOCVD系統(tǒng)中用鋁酸鋰做襯底生長a面或m面的GaN材料,在MOCVD系統(tǒng)中對生長的(302)和(100)鋁酸鋰襯底在500-1050℃溫度下進(jìn)行材料熱處理,時間為10-60分鐘,或然后通入氨氣進(jìn)行表面氮化,時間為10-60分鐘;然后在500-1050℃溫度范圍通入載氣H2和或N2,NH3氣以及金屬有機(jī)鎵源,金屬有機(jī)鎵源流量為1-50sccm;NH3氣500-7000sccm;N與Ga之摩爾比為500-3000,在(302)或(100)鋁酸鋰襯底上合成生長a面或m面的GaN材料,生長溫度500-1050℃溫度下,時間為10-60分鐘。本發(fā)明GaN薄膜具有更好的應(yīng)用價值,且薄膜厚度可以控制。
聲明:
“a面和m面GaN薄膜材料的控制生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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