本發(fā)明涉及一種負(fù)極片及其制備方法、電池，該方法包括如下步驟：將含硅負(fù)極材料形成于集流體上制得基片；將基片進(jìn)行預(yù)加熱，并將基片在真空條件的氛圍下采用真空濺射補(bǔ)鋰；預(yù)加熱的溫度高于氛圍溫度且低于補(bǔ)鋰的靶材的熔點(diǎn)，氛圍的溫度為30℃～130℃；在真空濺射中，基片上第一側(cè)表面的第一第二區(qū)域相對設(shè)置，基片上第二側(cè)表面的第三第四區(qū)域相對設(shè)置；靶材的數(shù)量為多個(gè)，且部分靶材同時(shí)對基片的第一第二區(qū)域進(jìn)行鍍膜，還有部分靶材同時(shí)對基片的第三第四區(qū)域進(jìn)行鍍膜；多個(gè)靶材包括第一、第二靶材，第一靶材選自金屬鋰、氧化鋰、氮化鋰或碳化鋰中的一種，第二靶材選自硅、碳、氧化硅、碳化硅或氮化硅中的一種；第一第二靶材在基片傳輸方向交替間隔設(shè)置。