本發(fā)明公開了一種高頻高性能聲表面波器件及其制備方法。所述聲表面波器件包括依次疊加的碳化硅單晶襯底、壓電薄膜和叉指電極；壓電薄膜為鉭酸鋰單晶薄膜或鈮酸鋰單晶薄膜；碳化硅單晶襯底為4H?SiC單晶基片、6H?SiC單晶基片、3C?SiC單晶基片或3C?SiC外延單晶基片。碳化硅單晶基片具有較高的聲速、優(yōu)良的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性和高熱導率；鉭酸鋰或鈮酸鋰壓電單晶薄膜的晶體質量高、一致性好、傳播損耗小，采用叉指電極/鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜/碳化硅單晶襯底結構形式的聲表面波器件，具有較高的中心頻率、高的功率耐受性、小的溫度系數(shù)，在移動通訊領域有巨大的應用前景。