本發(fā)明公開了一種富有硫空位缺陷的VS2?x材料的制備方法,采用水熱和煅燒法合成,利用水熱過程中添加CTAB構(gòu)造缺陷,通過調(diào)控CTAB的量調(diào)控缺陷多少,獲得富有硫空位的微米花狀VS2?x材料,工藝簡單、成熟,結(jié)果穩(wěn)定;本發(fā)明制備的富有硫空位缺陷的VS2?x材料作為鋰離子電池
正極材料,在0.1A/g電流密度下容量為140mAh/g,表現(xiàn)出高容量的儲鋰性能,同時具有高贗電容的儲鋰機(jī)制。
聲明:
“富有硫空位缺陷的VS2-x材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)