本發(fā)明公開了一種多孔單層1T?MoS?2納米片的制備方法，步驟如下：（1）采用水熱法制備2H晶型的MoS2納米片；（2）采用超聲輔助鋰離子插層法對多層2H晶型的MoS2納米片進行剝離，得到多孔單層1T?MoS2納米片。本發(fā)明的1T?MoS?2納米片可直接用于電催化制氫，相對于其它結構MoS2，其電催化制氫性能得到快速提高，多孔的結構為該催化提供了更多的邊緣，因此可以暴露更多的活性位點，這將有益于電催化制氫；單層的結構使得該催化劑擁有更大的比表面積，可以提供更多的反應活性位點。相對于多層的結構，單層結構降低了層與層之間的電子傳輸阻力，有利于電子的傳輸和轉移，進而加快電催化制氫速率。