本發(fā)明公開了一種用于銅互聯(lián)的導(dǎo)電阻擋層材料及其制備方法。該材料包括以下組分：碳酸鋰、鎳粉、氧化銅、氧化鋁、二氧化鈦、硬脂酸、油酸、鈦酸鈉、鈣鈦礦、氮化硅、異丙醇鋁、納米碳、馬來酸酐接枝劑、聚乙二醇。制備過程為，清洗基片；混合碳酸鋰、鎳粉、氧化銅、氧化鋁、二氧化鈦、硬脂酸、油酸、鈦酸鈉、鈣鈦礦、氮化硅、異丙醇鋁、納米碳、馬來酸酐接枝劑、聚乙二醇；再將混合物依次與基片和Cu完成磁控濺射獲得導(dǎo)電阻擋層材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的阻擋層材料熱穩(wěn)定高，抗氧化性、方塊電阻低，長久防止亦未出現(xiàn)Cu?Si化合物。