一種應(yīng)用于二次電池的碳硅復(fù)合負(fù)極材料的制備方法，屬于二次電池的負(fù)極材料制備技術(shù)領(lǐng)域。首先采用等離子體處理基底，使基底具有更多二級結(jié)構(gòu)，有效增加了基底的比表面積，提高了硅的附著力和鋰離子的穿透能力；然后采用磁控濺射法沉積N型摻雜的硅薄膜，最后通過等離子體化學(xué)氣相沉積法形成非晶碳層。本發(fā)明方法得到的非晶碳和N型摻雜硅形成的碳硅復(fù)合負(fù)極，有效結(jié)合了硅的高容量和非晶碳的強(qiáng)導(dǎo)電能力的優(yōu)點(diǎn)，得到的負(fù)極材料應(yīng)用于鋰二次電池中，有效提高了電池的容量和循環(huán)穩(wěn)定性。