本申請涉及一種電光調(diào)制器，所述電源能夠產(chǎn)生使所述第一電極和所述第二電極之間，所述第一電極和所述第三電極之間激發(fā)出鈮酸鋰的高階電光效應(yīng)的較高的變化的電場。當(dāng)產(chǎn)生鈮酸鋰的高階電光效應(yīng)時，所述電光調(diào)制器的半波電壓顯著降低。因此，所述電源提供較高的直流偏置電壓和較低的射頻電壓就能夠?qū)崿F(xiàn)信號的調(diào)制。所述電光調(diào)制器無需再使用射頻放大器等器件進(jìn)行射頻信號放大，也符合CMOS驅(qū)動電壓的要求。因此所述電光調(diào)制器的電路部分能夠完全集成在芯片上。因此能夠?qū)崿F(xiàn)較大的調(diào)制頻寬，減小射頻損耗，保證調(diào)制速率。所述電光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)了低半波電壓和較大的調(diào)制頻寬的有益效果。