一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,包括:提供器件晶圓和晶圓級覆蓋基板,器件晶圓和晶圓級覆蓋基板通過位于兩者之間的鍵合層相結(jié)合,器件晶圓包括多個半導(dǎo)體
芯片,半導(dǎo)體芯片包括有源區(qū)和輸入/輸出電極區(qū),半導(dǎo)體芯片、鍵合層以及晶圓級覆蓋基板在有源區(qū)位置處圍成空腔,輸入/輸出電極位于空腔外側(cè),晶圓級覆蓋基板的材料為鈮酸鋰或鉭酸鋰;利用軟刀對相鄰半導(dǎo)體芯片之間的晶圓級覆蓋基板進(jìn)行切割處理,形成與半導(dǎo)體芯片一一對應(yīng)的芯片級覆蓋基板,芯片級覆蓋基板側(cè)壁與芯片級覆蓋基板背向器件晶圓的表面的夾角呈鈍角;形成互連層,保形覆蓋輸入/輸出電極表面、鍵合層和芯片級覆蓋基板的側(cè)壁和芯片級覆蓋基板的部分頂面。本發(fā)明提高了封裝結(jié)構(gòu)的良率。
聲明:
“封裝結(jié)構(gòu)的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)