本發(fā)明具體涉及一種鈦基底上二氧化錳納米線陣列電極及其制備方法,所述電極由鈦基底上二氧化錳納米線陣列構(gòu)成,其單根二氧化錳納米線直徑為50~500納米,垂直、均勻、密集地分布在
鈦金屬表面,呈現(xiàn)陣列形式;所述電極的制備方法為:將高錳酸鉀、去離子水、丙酮和鹽酸溶液充分混合均勻后得到混合溶液;將鈦金屬片置于所述混合溶液中,放入反應(yīng)釜中密封加熱到200℃,保持9小時~10小時;待混合溶液自然冷卻后將鈦金屬片取出,得到鈦基底上二氧化錳納米線陣列電極。本發(fā)明所述電極應(yīng)用于鋰離子電池中展現(xiàn)出良好的循環(huán)性能和倍率性能,應(yīng)用于超級電容器中顯示優(yōu)異的
電化學(xué)性能。
聲明:
“鈦基底上二氧化錳納米線陣列電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)