本發(fā)明涉及一種負(fù)極活性材料、其制備方法和用途。所述負(fù)極活性材料包括內(nèi)核及形成在所述內(nèi)核表面的碳包覆層,所述內(nèi)核包括納米硅和片層狀Mxene材料,所述納米硅分布于所述片層狀Mxene材料的表面和/或片層間。本發(fā)明所述片層狀Mxene材料與硅形成緊密結(jié)合的同時與碳包覆層之間也具有優(yōu)異的結(jié)合性,可以有效提升硅的導(dǎo)電性,促進(jìn)鋰離子在硅中脫嵌與嵌入;此外,本發(fā)明所述片層狀Mxene材料有利于納米硅的表層附著,實現(xiàn)將納米硅均勻分散于Mxene材料片層;最后,片層狀Mxene材料與碳包覆層相結(jié)合,具備優(yōu)異的機(jī)械性能,從而提升復(fù)合結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
聲明:
“負(fù)極活性材料、其制備方法和用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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