本發(fā)明公開了一種InSb多晶薄膜
負極材料的制備方法及其應用，所述InSb多晶薄膜負極材料為閃鋅礦結構的InSb晶體。本發(fā)明通過磁控濺射沉積的方式制備了InSb薄膜負極，該材料在充放電循環(huán)過程中始終保留整體閃鋅礦結構()，并且僅存在極小的體積變化，因此能夠在擁有較高容量的情況下穩(wěn)定循環(huán)。本發(fā)明提供的InSb多晶薄膜負極材料在30℃條件下首次充電容量為561.8mAh/g，在800次循環(huán)后仍有534.6mAh/g的容量，容量保持率高達95.2％。本發(fā)明提供的InSb多晶薄膜負極材料在?50℃條件下首次充電比容量為511.9mAh/g，在250次充放電循環(huán)后仍有348.3mAh/g的容量，容量保持率為68.1％。本發(fā)明提供的InSb多晶薄膜負極材料在低溫下仍具有快速脫嵌鋰的特性。本發(fā)明提供的InSb多晶薄膜負極材料具有高容量，高倍率，高穩(wěn)定性，高耐熱沖擊性的優(yōu)勢。
聲明：
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網
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2025年03月28日 ~ 30日 
