本發(fā)明公開了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法,所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括設(shè)置在陰極和陽(yáng)極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層,以及設(shè)置在所述陽(yáng)極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層,所述空穴傳輸層與所述量子點(diǎn)發(fā)光層之間設(shè)置有界面層,所述界面層材料為反
鈣鈦礦化合物,所述反鈣鈦礦化合物的結(jié)構(gòu)通式為AB2X3,其中,A為F、Cl、Br或I中的一種,B為氧原子,X為鋰原子;所述界面層的HOMO能級(jí)大于所述空穴傳輸層的HOMO能級(jí)且小于所述量子點(diǎn)發(fā)光層的HOMO能級(jí)。本發(fā)明中,所述界面層可有效降低空穴注入勢(shì)壘,提高空穴注入速率,同時(shí)有效防止電子發(fā)生隧穿與空穴在非量子點(diǎn)發(fā)光區(qū)復(fù)合,從而提高器件的發(fā)光效率。
聲明:
“量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)