本發(fā)明公開了一種低膨脹的硅基
負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用,包括:氧化亞硅基體、以及均勻分散在氧化亞硅基體中的三維枝狀的氣相二氧化硅;三維枝狀的氣相二氧化硅的質(zhì)量占氧化亞硅基體的質(zhì)量的百分比為0.1%?10%;三維枝狀的氣相二氧化硅的鏈狀聚集體的尺寸在100nm?500nm之間;生成三維枝狀的氣相二氧化硅的原生粒子的粒徑在7nm?40nm之間;本發(fā)明的
硅基負(fù)極材料,由于三維枝狀的氣相二氧化硅構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)具有高強(qiáng)度和高韌性,在脫嵌鋰的過(guò)程中可以分散氧化亞硅體積膨脹收縮的應(yīng)力,降低材料的膨脹率,提高材料的循環(huán)性能。
聲明:
“低膨脹的硅基負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)