本發(fā)明公開了一種一維MoS2納米管材料及其制備方法,包括以MoO3,S粉為初級材料,采用Te輔助化學(xué)氣相沉積法生長MoS2納米管材料,所述的單根MoS2納米管直徑為80~200nm,通過Te輔助化學(xué)氣相沉積法在SiO2/Si襯底表面生長高質(zhì)量單晶MoS2納米管,Te輔助化學(xué)氣相沉積過程中采用Te粉作為催化劑,無需再采用模板和特定前驅(qū)體結(jié)構(gòu)設(shè)計,工藝簡單,產(chǎn)率高,且成本低廉,適合批量生產(chǎn);在SiO2/Si襯底上直接生長MoS2納米管,所制備的
納米材料形態(tài)均一、結(jié)構(gòu)性能穩(wěn)定,可以作為場效應(yīng)晶體管溝道材料、光催化、電催化、
太陽能電池、柔性傳感器,場發(fā)射和鋰離子電池
負極材料。
聲明:
“一維MoS2納米管材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)