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高純納米一氧化硅的制備方法

759 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 00:25:31

本發(fā)明涉及一種高純納米一氧化硅的制備方法，屬于一氧化硅制備技術領域。本發(fā)明將一氧化硅粉末置于溫度為60~120℃條件下真空干燥處理1~12h；將氬氣通入等離子體爐內排出等離子爐中的空氣；持續(xù)將氬氣通入等離子體爐內作為保護氣和載氣，并將真空干燥處理的一氧化硅粉末通過進粉器進料使一氧化硅粉氣化，冷凝即得高純納米一氧化硅。本發(fā)明能降低高純納米一氧化硅的制備成本，減少三廢的排放，形成良好的資源利用及環(huán)境保護；高純納米一氧化硅可以直接應用在鍍膜領域、精細陶瓷制備領域、鋰離子電池負極材料領域等。

聲明：

“高純納米一氧化硅的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)