一種生產(chǎn)1T?過(guò)渡金屬二硫化物少層納米片和/或者單層納米片的方法,所述方法包括:鋰離子向包含塊體2H?過(guò)渡金屬二硫化物的負(fù)極中的
電化學(xué)嵌入以提供嵌入電極;和剝離步驟,所述剝離步驟包括將嵌入電極與質(zhì)子溶劑接觸以生產(chǎn)1T?過(guò)渡金屬二硫化物少層納米片和/或單層納米片。一種電化學(xué)電容器,其包括復(fù)合電極,所述復(fù)合電極包含1T?MoS
2納米片和
石墨烯,以及一種生產(chǎn)用于電化學(xué)電容器中的復(fù)合電極的方法。
聲明:
“1T-相過(guò)渡金屬二硫化物納米片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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