本發(fā)明提供一種納米線電極結(jié)構(gòu)及其制備方法,所述納米線電極結(jié)構(gòu),包括襯底,位于所述襯底上的納米線陣列,所述納米線陣列包括多個納米線結(jié)構(gòu),所述納米線結(jié)構(gòu)包括:納米線中間核;第一包覆殼,所述第一包覆殼包覆所述納米線中間核;空隙層,所述空隙層位于所述第一包覆殼與所述納米線中間核之間。所述納米線電極結(jié)構(gòu)通過在第一包覆殼與納米線中間核之間形成空隙層,為第一包覆殼的嵌鋰膨脹提供空間,減少了第一包覆殼因?yàn)轶w積膨脹帶來的破碎,提高了納米線電極結(jié)構(gòu)的機(jī)械性能,同時(shí)提高納米線電極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性,具有顯著的意義。
聲明:
“納米線電極結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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