本發(fā)明涉及一種電阻可控的碳化硅陶瓷及其制備方法,屬導(dǎo)電陶瓷材料領(lǐng)域。電阻可控碳化硅陶瓷原料包括:SiC粉、B
4C粉、鈦源、碳源、TiB
2粉,質(zhì)量比為(40?80):(8?30):(20?70):(15?60):(25?55);本發(fā)明還提供了其制備方法,包括配料、過篩造粒、模壓成型、干燥、燒結(jié);本發(fā)明在SiC原料中直接或間接引入TiB
2高導(dǎo)電陶瓷成分,使制得的SiC復(fù)合陶瓷材料具有電阻可控、抗氧化、硬度高、耐磨損、高熱傳導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、抗蠕變等性能,在電子信息穿戴產(chǎn)品、工業(yè)廢水電催化氧化處理、燃料電池電極、高鐵受電弓等領(lǐng)域具有非常大的實(shí)用前景。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、設(shè)備要求度低、生產(chǎn)成本低、便于批量化生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“電阻可控碳化硅陶瓷的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)