本發(fā)明公開了穩(wěn)定且高效去除在半導體污水廢水處理廠和半導體工藝中排出的惡臭去除用離子催化劑及其制備方法。本發(fā)明的離子催化劑及其制備方法的特征在于,包括:步驟(a),對多孔性載體和納米二氧化硅溶膠進行混合,來在上述多孔性載體的表面形成納米二氧化硅薄膜;步驟(b),將形成納米二氧化硅薄膜的多孔性載體與
氫氧化鋁(Al(OH)
3)水溶液進行混合用于導入中間連接體催化劑;步驟(c),將導入成功的催化劑與包含第一過渡金屬和第二過渡金屬前驅物的水溶液進行混合,來形成催化劑結合體;步驟(d),在220~350℃的溫度下,對上述催化劑結合體進行熱處理之后,進行冷卻,從而制備離子催化劑,在上述步驟(d)的離子催化劑的特征為:催化劑中形成有納米二氧化硅?鋁(Al)?第一過渡金屬?第二過渡金屬。
聲明:
“通過離子激活的惡臭去除用離子催化劑及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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