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{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備及應(yīng)用

754   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 03:32:37
本發(fā)明涉及{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備及應(yīng)用,以鈦板為鈦源,以氫氟酸為封端劑,通過水熱方法在鈦基底上原位生長(zhǎng)TiO2花狀微球結(jié)構(gòu),其{001}晶面暴露比為0%~100%,制備得到的{001}TiO2/Ti光電極可以應(yīng)用在鄰苯二甲酸二甲酯廢水光電催化氧化降解中。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制備的{001}晶面可控暴露的{001}TiO2/Ti光電極具有高效的光電催化性能(光電流密度最高達(dá)到0.74mA/cm2),在8小時(shí)內(nèi)對(duì)濃度為5mg/L的鄰苯二甲酸二甲酯去除率最高可達(dá)到94.3%。這一電極材料和技術(shù)適用于鄰苯二甲酸酯類污染物的光電催化降解領(lǐng)域。
聲明:
“{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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