本發(fā)明提供了一種干法清洗
多晶硅還原爐的方法,將多晶硅還原爐與等離子體發(fā)生器相連,使等離子體發(fā)生器產(chǎn)生的等離子體在設定的溫度和壓強條件下與多晶硅還原爐鐘罩內(nèi)壁沉積的硅薄膜反應,同時實時監(jiān)測反應產(chǎn)物的成分變化,并通過吹掃抽離反應產(chǎn)生的氣體產(chǎn)物,達到清洗多晶硅還原爐的目的。本發(fā)明提供的方法克服了現(xiàn)有技術的不足,大大簡化了清洗工藝流程,實現(xiàn)全自動化操作,大幅降低了多晶硅還原工藝整體設備投入和建設周期與成本,同時能夠完全避免廢酸、廢堿、廢水和廢氣等的排放,起到節(jié)能和環(huán)保的作用。
聲明:
“干法清洗多晶硅還原爐的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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