光伏晶體硅加工廢砂漿綜合處理技術:按照申請?zhí)?01110101064.7《
光伏電池晶體硅加工廢砂漿綜合處理新方法》處理晶體硅加工廢砂漿,完成分離、回收廢砂漿中的PEG和鐵后,把由SiC、Si微粉組成的二元砂進行氣流分離處理,得到SiC≥90%、Si≤10%、粒度5-30um的SiC微粉;Si≥95%、SiC≤5%、粒度≤10um的Si微粉;把SiC微粉加入適量的粘合劑壓制成型,經(jīng)干燥后用N2≥95%的氮氣,1100-1650℃在氮化燒結爐氮化燒結,得到以氮化硅為結合劑的碳化硅陶瓷制品;把Si微粉利用壓縮N2噴入氣流床反應器,形成旋流,以利于3Si+2N2=Si3N4-733kJ反應的進行和反應產(chǎn)物的收集回收,控制反應溫度在1000-1600℃左右,實現(xiàn)氮化硅粉體的無球磨連續(xù)生產(chǎn)。
聲明:
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