本發(fā)明公開了一種生產(chǎn)含硫化合物半導(dǎo)體的方法,包括:在工藝室(3)中為含硫化合物半導(dǎo)體提供至少一個涂覆有前體(4)的基底(5);在工藝室(3)中對涂層基底(5)進(jìn)行熱處理,其中,在熱處理期間,在工藝室(3)中輸入包含至少一種氣態(tài)硫族化合物的工藝氣體;將涂層基底(5)熱處理后存在的氣體作為廢氣從工藝室(3)中移除;在氣體處理器(13)中冷卻廢氣。其中,在對所述涂層基底(5)進(jìn)行熱處理后的廢氣中存在的多個氣態(tài)硫族化合物通過各自轉(zhuǎn)化為液體或固體的形式在時間和空間上彼此從廢氣中分離。本發(fā)明還提供了一種用于執(zhí)行上述方法的裝置。
聲明:
“生產(chǎn)含硫化合物半導(dǎo)體的方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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