本發(fā)明提供一種檢測經(jīng)平坦化處理的晶片的平坦程度的方法,包括:在形成有金屬塞的晶片表面形成金屬層,經(jīng)刻蝕,使其形成多個彼此間隔的金屬區(qū);進行平坦化處理;形成金屬測試層;局部刻蝕金屬測試層,使其形成具有多道彎折的蛇形金屬測試區(qū),所形成的蛇形金屬測試區(qū)位于與金屬區(qū)間隔處相對應(yīng)的位置上,并且使蛇形金屬測試區(qū)的兩端分別與未刻蝕的金屬測試層連接,形成試樣金屬測試層;分別檢測試樣金屬測試層和對照金屬測試層的電參數(shù),通過兩者電參數(shù)值之間的接近程度來評估晶片的平坦程度。本發(fā)明在制備CMOS器件過程中即可將平坦程度較差的
芯片報廢,從而避免進行后續(xù)的封裝測試或者器件在后續(xù)應(yīng)用中失效而帶來更大的危害或造成更大的損失。
聲明:
“一種檢測經(jīng)平坦化處理的晶片的平坦程度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)