本發(fā)明涉及一種DRAM存儲器的性能檢測方法和檢測電路。DRAM存儲器的性能檢測方法包括如下步驟:將存儲單元的字線的一端和/或位線的一端分別與測量焊盤連接,所述存儲單元位于DRAM存儲器的邊緣;對與所述測量焊盤連接的字線的一端和/或位線的一端施加測量電壓或測量電流;通過所述測量焊盤輸出測量結(jié)果。通過將位于DRAM存儲器的邊緣的存儲單元的字線的一端和/或位線的一端分別與測量焊盤連接,施加測量電壓或測量電流,輸出所述測量結(jié)果,能夠在不影響存儲單元的情況下對存儲器進行性能檢測,不影響產(chǎn)品良率和產(chǎn)品的成本。
聲明:
“一種DRAM存儲器的性能檢測方法和檢測電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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