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半導體器件的性能檢測方法和檢測模型的建立方法

727   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網  
2023-03-19 06:19:35
本申請公開了半導體器件的性能檢測方法和檢測模型的建立方法，半導體器件的性能檢測方法包括步驟：將待測半導體器件的溝道尺寸輸入到檢測模型中；所述檢測模型根據所述待測半導體器件的溝道尺寸，將所述待測半導體器件對應到由多個點模型構成的塊模型區(qū)中；所述檢測模型將所述塊模型區(qū)中多個點模型的溝道尺寸和器件特性輸入到差值公式中，形成聯(lián)立方程式，并通過所述聯(lián)立方程式得出所述待測半導體器件的關系參數；所述檢測模型將所述待測半導體器件的關系參數和溝道尺寸代入到差值公式中，得到所述待測半導體器件的器件特性，并輸出所述器件特性作為檢測結果。通過上述檢測方法可以準確地檢測出半導體器件的器件特性，且節(jié)省了時間和成本。
聲明：
“半導體器件的性能檢測方法和檢測模型的建立方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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