本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體ETFE復(fù)合薄膜的制作方法,所述半導(dǎo)體ETFE復(fù)合薄膜包括以下重量百分比的組分:2~5%PI和95~98%ETFE,包括以下步驟:(a)將所述PI和所述ETFE分別烘干;(b)將烘干后的所述PI和所述ETFE進(jìn)行攪拌混合得混合物料;(c)對(duì)所述混合物料進(jìn)行冷卻得冷卻物料;(d)將所述冷卻物料進(jìn)行高溫流延即可。通過(guò)精確控制其組分含量,使得ETFE復(fù)合薄膜具有合適的拉伸強(qiáng)度和斷裂伸長(zhǎng)率,并能滿足在170℃溫度下進(jìn)行性能檢測(cè)。
聲明:
“一種半導(dǎo)體ETFE復(fù)合薄膜的制作方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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