本發(fā)明提供了一種底柵薄膜晶體管及其制備方法。所述薄膜晶體管包括:襯底、設置在所述襯底上的柵極、覆蓋所述柵極的介電層、設置在所述介電層上的源極和漏極,以及覆蓋所述源極和所述漏極的
半導體材料層;所述源極和所述漏極相互間隔,且與所述柵極對準;所述介電層上開設有與所述柵極的連接線連通的通道。本發(fā)明提供的薄膜晶體管能夠消除寄生電容,具有較短的溝道,其性能檢測方便快捷,半導體材料層可反復洗脫和生長,實現(xiàn)了下層基材的重復利用。
聲明:
“一種底柵薄膜晶體管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)