一種生長半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置及摻碳方法,涉及
半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域,包括石英管和PBN坩堝組,PBN坩堝組裝于石英管內(nèi),石英管的兩端安裝有密封卡頭,石英管的兩端分別設(shè)置有管路,分別稱為充氣管路和排氣管路,充氣管路上設(shè)置有通斷閥門三,充氣管路上游為兩個并聯(lián)的支氣管路,分別稱為充氧管路和充碳管路,充氧管路連接有氧氣源,充碳管路連接有碳?xì)庠?,并且均通過閥門控制氧氣源或碳?xì)庠吹耐〝?;排氣管路的下游為兩個并聯(lián)的支氣管路,分別稱為放氣管路和抽真空管路,放氣管路上設(shè)置有閥門,抽真空管路上連接有抽真空裝置。本申請可分別實施充氧烘烤工藝和C沉積工藝,兩個工藝在同一設(shè)備上依次進行,簡化了設(shè)備,節(jié)省了熱能損耗。
聲明:
“一種生長半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置及摻碳方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)