本發(fā)明涉及半導體低維結(jié)構(gòu)薄膜的制備方法,特別是利用倒置多孔
氧化鋁模板,轉(zhuǎn)印有序點陣技術,利用濺射技術制備有序高密度鍺納米點陣的制備方法。本發(fā)明采用經(jīng)典兩步陽極氧化法制備多孔氧化鋁不通孔模板,然后利用濺射技術,在保持高真空環(huán)境的工作室中,以高純氬氣為工作氣體,工作室濺射壓強0.5Pa~2Pa,生長溫度600~800℃,濺射功率50W~100W條件下,在被移植到硅基底材料上生長厚度<50nm硅緩沖層完成有序結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印,然后呈有序結(jié)構(gòu)分布的硅緩沖層上生長鍺納米點陣。本發(fā)明具有生產(chǎn)成本低、可控性好、所制備鍺納米點陣具有密度高,有序性好等特點。
聲明:
“轉(zhuǎn)印倒置模板法制備有序鍺納米點陣” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)