本發(fā)明公開(kāi)了一種光
電化學(xué)反應(yīng)中間體的陣列
芯片質(zhì)譜聯(lián)用分析方法。該方法利用二氧化鈦、
石墨烯等具有半導(dǎo)體性質(zhì)或光催化性能的無(wú)機(jī)材料修飾玻璃、聚酰亞胺等絕緣塑料形成光催化劑修飾的微陣列芯片。之后將用于光電化學(xué)反應(yīng)的底物滴加在該芯片上,利用光照引起光電化學(xué)反應(yīng)。反應(yīng)若干時(shí)間后,利用靜電噴霧離子化質(zhì)譜技術(shù)對(duì)該樣品點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè),實(shí)現(xiàn)光電化學(xué)反應(yīng)中間體分析。
聲明:
“光電化學(xué)反應(yīng)中間體的陣列芯片質(zhì)譜聯(lián)用分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)