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采用分子印跡功能化修飾電極的光電化學分析方法

884   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:35:11
本發(fā)明公開一種采用分子印跡功能化修飾電極的光電化學分析方法,涉及一種基于分子印跡技術(shù)的高選擇性TiO2NTs修飾電極的制備方法,以及采用該修飾電極作為光陽極,用于對內(nèi)分泌干擾物,尤其是非電化學活性內(nèi)分泌干擾物2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)的高選擇性、高靈敏的檢測方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明首次將分子印跡聚合物用于光電傳感電極的選擇性修飾,大大提高了電極的選擇性和檢測的靈敏度,可以排除多種共存小分子的干擾,檢測限達到10-8mol·L-1數(shù)量級,電極穩(wěn)定,檢測方法具有良好的重現(xiàn)性。
聲明:
“采用分子印跡功能化修飾電極的光電化學分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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