用于
電化學流體分析的設(shè)備和方法包括:腔體(1202),具有用于容納一定體積的受測試流體的深度維度;第一和第二電極(A1),布置在腔體內(nèi)且沿著深度維度按彼此分隔方式延伸;以及可溶性固體,諸如經(jīng)退火的聚合物例如EUDRAGIT,占據(jù)第一和第二電極之間的橫向間隙。由電化學阻抗譜(EIS)監(jiān)測的可溶性固體在流體內(nèi)的溶解速率依賴于存在于流體中溶液內(nèi)的相應(yīng)分析物的化學濃度。在一個實施例中,限定上緣的硅基集成電路裝置包括沿著所述上緣布置的電極陣列,以允許將電極陣列直接暴露于受測試流體。該裝置使用CMOS技術(shù)來構(gòu)建。
聲明:
“用于流體的化學分析的方法和設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)