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檢測SiGe材料在電化學沉積過程中帶隙變化的方法

704 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 06:36:27

本發(fā)明提供一種檢測SiGe材料在電化學沉積過程中帶隙變化的方法，屬于SiGe電沉積制備方法領域。該方法利用原位光譜電化學技術，觀察沉積過程中SiGe材料吸收光譜的變化，分析沉積過程及SiGe帶隙變化；本發(fā)明利用離子液體電沉積技術與原位光譜電化學法的結合，使用無毒無污染的綠色離子液體[EMIm]Tf2N+GeCl4+SiCl4做為電解液，調控電化學沉積步驟及吸收光譜測量，原位表征SiGe在離子液體中的電沉積過程，本方法利用了半導體能夠強烈的吸收光能，通過吸收光譜的變化可以反映出電化學沉積過程進行的快慢、沉積過程中帶隙的變化。該檢測方法工藝簡單，操作方便，易于實現(xiàn)。

聲明：

“檢測SiGe材料在電化學沉積過程中帶隙變化的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)