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透射電鏡原位電化學(xué)檢測(cè)芯片及其制作方法

708   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:38:41
本發(fā)明提供一種透射電鏡原位電化學(xué)檢測(cè)芯片,包括上片和下片。所述上片和下片由兩面帶有絕緣層或氮化硅層的硅基片制成。所述上片設(shè)有兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的注液口和一個(gè)電子束視窗;所述上片的硅基片一面設(shè)置有金屬鍵合層。所述下片的硅基片一面設(shè)置有參比電極、工作電極和對(duì)電極三電極體系;所述下片中心位置設(shè)置有觀察視窗;所述上片和所述下片通過(guò)金屬鍵合層粘接。本發(fā)明提供一種透射電鏡原位電化學(xué)檢測(cè)芯片的制作方法,制成的原位電化學(xué)檢測(cè)芯片具有三電極和絕緣層,可實(shí)現(xiàn)通電條件下對(duì)樣品進(jìn)行檢測(cè),電場(chǎng)均勻,且安全性高、可控性強(qiáng),同時(shí)以氮化硅層為支持層,有效提高成像分辨率,降低背景噪音。
聲明:
“透射電鏡原位電化學(xué)檢測(cè)芯片及其制作方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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