本發(fā)明公開了一種檢測淺槽隔離直接化學(xué)機(jī)械拋光氮化硅殘留的方法及結(jié)構(gòu);包括以下步驟:步驟一、在襯底上制作一層埋層和一層主動(dòng)區(qū),埋層和主動(dòng)區(qū)之間有交疊的部分,埋層交疊的部分在主動(dòng)區(qū)之下;步驟二、進(jìn)行淺槽隔離工藝直接化學(xué)機(jī)械拋光;步驟三、在淺槽隔離工藝直接化學(xué)機(jī)械拋光之后去除氮化硅;步驟四、進(jìn)行檢測,判斷是否有氮化硅殘留。本發(fā)明可以簡單快捷的檢測淺槽隔離工藝直接化學(xué)機(jī)械拋光氮化硅殘留,為優(yōu)化修正工藝提供可靠的保障。
聲明:
“檢測淺槽隔離直接化學(xué)機(jī)械拋光氮化硅殘留的方法及結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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