本發(fā)明涉及一種銅摻雜的Tb基MOF檢測(cè)CYFRA 21?1的
電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器的制備方法。具體是采用銅摻雜的Tb基MOF作為傳感界面,銅摻雜的Tb基MOF具有大的比表面積和穩(wěn)定的電化學(xué)發(fā)光信號(hào)。AuPdPt納米花與銅摻雜的Tb基MOF復(fù)合,能夠提高銅摻雜的Tb基MOF的導(dǎo)電性,并且貴金屬納米花具有催化活性,能夠進(jìn)一步放大電化學(xué)發(fā)光信號(hào)。本發(fā)明對(duì)CYFRA 21?1檢測(cè)的線性范圍為0.1 pg·mL
?1?100 ng·mL
?1,檢測(cè)限為32 fg·mL
?1。
聲明:
“銅摻雜的Tb基MOF檢測(cè)CYFRA 21-1的電化學(xué)發(fā)光免疫傳感器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)