本發(fā)明涉及集成電路制造工藝和版圖設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨的缺陷檢測(cè)方法,該方法包括:提取CMP工藝前的材料結(jié)構(gòu)信息;確定CMP相關(guān)工藝參數(shù);建立符合CMP去除機(jī)理的CMP預(yù)測(cè)模型;進(jìn)行CMP缺陷檢測(cè)版圖設(shè)計(jì),確定CMP工藝缺陷產(chǎn)生條件。利用本發(fā)明可以在版圖設(shè)計(jì)階段最小化化學(xué)機(jī)械研磨工藝缺陷區(qū)域面積,從而減小冗余金屬填充數(shù)量,提高產(chǎn)品優(yōu)良率。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械研磨缺陷檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)