本發(fā)明涉及一種原位生成硫化鎘檢測(cè)地塞米松的光
電化學(xué)傳感器的制備方法。本發(fā)明具體是采用羧基化氮化碳和硫化鉍作為基底材料,鎘離子功能化的二氧化鈦標(biāo)記地塞米松抗體。通過在電極表面直接滴加硫化鈉,原位生成高光電轉(zhuǎn)換效率的窄帶隙硫化鎘半導(dǎo)體
納米材料,在可見光波長的光源照射下產(chǎn)生光電流信號(hào)。載體多孔二氧化鈦與硫化鎘能帶匹配良好,從而提高硫化鎘的光電轉(zhuǎn)換效率,實(shí)現(xiàn)了對(duì)地塞米松的高靈敏檢測(cè),其檢測(cè)限為2pg/mL。
聲明:
“基于原位生成硫化鎘檢測(cè)地塞米松光電化學(xué)傳感器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)