本發(fā)明涉及一種利用掃描
電化學(xué)顯微鏡(SECM)檢測(cè)不可逆電穿孔程度的方法,其通過對(duì)脈沖電場(chǎng)刺激后的細(xì)胞的膜通透性(Pm)進(jìn)行測(cè)定,實(shí)現(xiàn)細(xì)胞電穿孔程度的快速高效檢測(cè)。該方法先測(cè)定出SECM探針對(duì)細(xì)胞的逼近曲線,再將逼近曲線換算成細(xì)胞膜通透性來完成對(duì)電穿孔程度的測(cè)定,并通過已有的檢測(cè)方法測(cè)定細(xì)胞的存活率曲線,將Pm值與細(xì)胞存活率建立關(guān)系,來驗(yàn)證細(xì)胞膜通透性能完成不可逆電穿孔的檢測(cè),發(fā)現(xiàn)細(xì)胞膜通透性隨脈沖電壓變化的規(guī)律與細(xì)胞存活率在脈沖電壓變化時(shí)的規(guī)律幾乎一致,因此利用SECM測(cè)定細(xì)胞的電穿孔程度的方法是有效可靠的。
聲明:
“利用掃描電化學(xué)顯微鏡(SECM)檢測(cè)不可逆電穿孔程度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)