一種用于
多晶硅化學(xué)機(jī)械研磨制程中缺陷檢測晶圓(控片)的制作方法,在硅襯底上沉積一薄層氧化硅薄膜后,再在氧化硅層上沉積一層氮化硅阻擋層,然后再在氮化硅阻擋層上沉積一層多晶硅薄膜,并在循環(huán)使用中保留該氮化硅層。本發(fā)明增加了氮化硅阻擋層,可以有效解決在控片的循環(huán)使用過程中對(duì)硅襯底造成損傷產(chǎn)生COP缺陷而影響測機(jī)結(jié)果的問題,從而減少檢測過程的誤差,獲得能夠真實(shí)表征機(jī)器性能的檢測數(shù)據(jù)。
聲明:
“用于多晶硅化學(xué)機(jī)械研磨制程中缺陷檢測晶圓的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)