本發(fā)明涉及一種CVD設備及其中與襯底支撐座相對設置的頂板的表面溫度檢測方法。所述CVD設備包括腔體、設置在所述腔體內的頂板和襯底支撐座,所述頂板與所述襯底支撐座相對設置,所述襯底支撐座具有面向所述頂板的襯底支撐面,所述頂板具有面向所述襯底支撐座的第一表面和背離所述襯底支撐座的第二表面;所述化學氣相沉積設備進一步包括至少一探測孔和至少一溫度探測器;所述探測孔從所述腔體的外側向所述腔體內延伸,并從所述頂板第二表面一側延伸至所述頂板,但不穿透所述頂板;所述溫度探測器通過所述探測孔探測所述頂板的溫度,以獲得所述頂板第一表面的溫度。本發(fā)明的CVD設備能夠有效檢測所述頂板面向所述襯底支撐座的第一表面的溫度。
聲明:
“化學氣相沉積設備及其頂板表面溫度檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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