本發(fā)明所述的實(shí)施例關(guān)于在化學(xué)機(jī)械拋光制程中檢測(cè)目標(biāo)基板的終點(diǎn)的方法。在一個(gè)實(shí)施例中,該方法包括以下步驟:以第一薄膜移除速率拋光一或多個(gè)參考基板以提供參考光譜;以第二薄膜移除速率拋光一或多個(gè)目標(biāo)基板以提供一或多個(gè)目標(biāo)基板的當(dāng)前光譜,其中第二薄膜移除速率不同于第一薄膜移除速率;基于在拋光一或多個(gè)參考基板過(guò)程中收集的參考光譜,使用所獲得的一系列終點(diǎn)值來(lái)識(shí)別形成于一或多個(gè)目標(biāo)基板上不同層之間的界面轉(zhuǎn)變。
聲明:
“通過(guò)選擇性改變檢測(cè)不同層之間的界面以在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中進(jìn)行的終點(diǎn)控制” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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