本實(shí)用新型公開(kāi)了一種納米薄膜制備及化學(xué)狀態(tài)測(cè)試系統(tǒng),系統(tǒng)包括制備室以及與制備室連接的分析室,制備室和分析室均為真空,且制備室的真空度小于分析室的真空度;制備室內(nèi)具有氬離子槍和制備平臺(tái);分析室內(nèi)具有X射線光電子能譜分析儀,X射線光電子能譜分析儀用于對(duì)制備室制備得到的薄膜材料的表面原子進(jìn)行化學(xué)狀態(tài)測(cè)試;系統(tǒng)還包括設(shè)置在制備室和分析室內(nèi)的樣品輸送裝置,樣品輸送裝置用于將制備室制備得到的薄膜材料輸送至分析室內(nèi)。本方案中制備的薄膜材料不會(huì)經(jīng)歷空氣的曝光,不需要用Ar離子槍把薄膜材料表面的氧化層蝕刻掉,從而避免薄膜材料中電子結(jié)合能的變化,因此可以提高薄膜材料的表面原子的化學(xué)狀態(tài)的測(cè)試的準(zhǔn)確度。
聲明:
“納米薄膜制備及化學(xué)狀態(tài)測(cè)試系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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