一種高溫混合電路結(jié)構(gòu),其中包括一通過電極 (4a,4b)與一導(dǎo)電安裝層(8)連接的溫度感測(cè)器件(2),該溫度敏 感器件包含SiC、AlN和/或 AlxGa1- xN(x>0.69),所述導(dǎo)電安裝層(8)與一A1N模片 (6)相結(jié)合。所述模片、溫度感測(cè)器件以及安裝層(它可以是W、 WC或W2C)的溫度膨脹系數(shù)彼 此都在1.06內(nèi)。安裝層可完全由W、WC或 W2C黏合層或一帶有一金屬化 疊層(14)的黏合層(12)構(gòu)成,所述金屬化疊層的熱膨脹系數(shù)不大 于所述黏合層的約3.5倍??墒褂梅磻?yīng)的硼硅酸鹽混合物(18), 用或不用有助于保持住導(dǎo)線(16)并增加結(jié)構(gòu)完整性的上模片 (22)來封裝該器件。本發(fā)明可用于溫度感測(cè)器、壓力感測(cè)器、 化學(xué)感測(cè)器以及高溫和高功率電子線路。
聲明:
“有提供線性正電阻溫度系數(shù)的摻雜SiC電阻的溫度相關(guān)器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)