本發(fā)明公開了一種新型光
電化學(xué)光探測(cè)器的制備方法,其特征在于,所述方法包括:根據(jù)所述光探測(cè)器的待探測(cè)光波長(zhǎng)選擇氮化鎵基化合物
半導(dǎo)體材料組分;根據(jù)所述組分在襯底表面上形成氮化鎵基納米線;所述氮化鎵基納米線上均勻修飾助催化劑納米顆粒;對(duì)已修飾助催化劑納米顆粒的氮化鎵基納米線進(jìn)行封裝得到光電極;以及利用所述光電極制備所述光電化學(xué)光探測(cè)器。僅在納米線生長(zhǎng)過程中調(diào)整納米線中組分含量即可生產(chǎn)出應(yīng)用于不同光探測(cè)場(chǎng)景的光探測(cè)器。最后采取相同工藝流程制備高響應(yīng)度、快速反應(yīng)、經(jīng)濟(jì)環(huán)保、自供能的新型全波段光電化學(xué)光探測(cè)器。本發(fā)明開創(chuàng)性的將氮化鎵基納米線應(yīng)用于光電化學(xué)光探測(cè)器的研究中,具有十分重要的意義。
聲明:
“光電化學(xué)光探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)