本發(fā)明公開了一種基于化學(xué)氣相沉積二硫化鎢的光電探測器及其制備方法，屬于二維半導(dǎo)體材料的生長及其光電探測器的制備技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)制備二硫化鎢實(shí)驗(yàn)條件可重復(fù)性不好，薄膜質(zhì)量欠佳等技術(shù)問題。所述的二硫化鎢由化學(xué)氣相沉積法制備得到，利用熔融鹽輔助的方法可以有效降低前驅(qū)體三氧化鎢的熔點(diǎn)，從而提高材料制備的可控性。該實(shí)驗(yàn)方法工藝簡單，環(huán)境友好，適合大規(guī)模生產(chǎn)。所述光電探測器由干法轉(zhuǎn)移技術(shù)制備得到，利用干法轉(zhuǎn)移技術(shù)將金電極直接轉(zhuǎn)移到生長有二硫化鎢的襯底上，保護(hù)了二硫化鎢的晶體結(jié)構(gòu)。此外，生長的二硫化鎢晶體結(jié)晶質(zhì)量高，利用其制備的光電探測器具有高響應(yīng)度、高外量子效率、高探測度的特點(diǎn)，表現(xiàn)出優(yōu)異的光電探測性能。