本實(shí)用新型公開了一種原位
電化學(xué)反應(yīng)觀測(cè)
芯片及其應(yīng)用。原位電化學(xué)反應(yīng)觀測(cè)芯片包括基底以及設(shè)置于基底上表面的第一電極和第二電極,第一電極具有開口部,至少所述第二電極的一端部設(shè)于所述開口部?jī)?nèi),且所述第二電極與第一電極之間無直接接觸,至少在設(shè)置于第一電極開口部?jī)?nèi)的第二電極具有一個(gè)以上貫穿所述第二電極的觀測(cè)窗口,所述觀測(cè)窗口還向下連續(xù)貫穿所述基底的上表面和下表面,以及,在所述觀測(cè)窗口上覆蓋有具有微通孔的薄膜。本實(shí)用新型采用性質(zhì)獨(dú)特的低應(yīng)力氮化硅薄膜覆蓋原來鏤空的觀測(cè)窗口,并在觀測(cè)窗口上方的氮化硅薄膜上制作了微米級(jí)和/或納米級(jí)的通孔陣列,這一改進(jìn)使得芯片在實(shí)際使用中具有了更大的優(yōu)勢(shì)。
聲明:
“原位電化學(xué)反應(yīng)觀測(cè)芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)